崗位職責：1、負責芯片模擬電路設計,芯片設計方案的制定與編寫；2、基于設計方案及相關設計流程，進行模擬電路設計、電路分析驗證；3、根據(jù)設計方案的要求，協(xié)助后端進行版圖布局與設計，完成模擬電路的功能驗證、參數(shù)驗證和后仿真等工作；4、協(xié)助版圖設計人員進行最終的版圖檢查，并形成最終的流片數(shù)據(jù),參與芯片測試及失效分析。任職資格：1、集成電路設計、微電子或電子相關專業(yè)，全日制本科以上學歷，研究生以上優(yōu)先；2、熟悉數(shù)?；旌?，5年以上電源類芯片設計經(jīng)驗；能獨立完成項目設計，有成功流片經(jīng)驗者優(yōu)先 ；3、具體良好的學習能力，問題分析解決能力，溝通能力以及團隊合作精神。

winsemi（穩(wěn)先微電子）成立于2000年，是集研發(fā)、生產(chǎn)、品牌營銷一體的專業(yè)微電子企業(yè)，同時我們還為客戶提供完善的系統(tǒng)方案。

目前公司擁有微電子行業(yè)內專家級、高素質的研發(fā)團隊，同時還擁有世界最先進的生產(chǎn)設備及生產(chǎn)管理系統(tǒng)。這一切讓winsemi躍居為目前在國內同行業(yè)中人員配備最專業(yè)、最齊全，生產(chǎn)設備投資規(guī)模最大、最先進的功率器件生產(chǎn)企業(yè)之一。以穩(wěn)定的產(chǎn)品品質、迅速、完善的服務，贏得國內外知名廠商的信賴和支持，同時取得穩(wěn)定、持續(xù)快速增長的優(yōu)異業(yè)績 。

WINSEMI（中國）的產(chǎn)品有：高效的電源管理和LED驅動IC、功率場效應管（MOSFET）、IGBT/IGBT模塊、大功率三極管（BJT）、單/雙向可控硅(SCR/TRAIC)、中大功率超快恢復二極管(FRD)、肖特基二極管(SBD)等。